電力電容器組裝成無功補(bǔ)償柜，有多種投切方式，接觸器的，復(fù)合開關(guān)的，可控硅的。接觸器由于觸點(diǎn)拉弧嚴(yán)重，損壞率高，一般在穩(wěn)定負(fù)載上用還可以；復(fù)合開關(guān)的質(zhì)量大多壽命很短，因?yàn)槔锩娴牟迤娇煽毓枘蛪旱停?00~1000V，（MTC型可控硅模塊耐壓1600V），所以損壞率高，現(xiàn)在的“復(fù)合開關(guān)”都變種了，把插片可控硅取消了，只用磁保持繼電器的觸點(diǎn)來投切電容器，所以說，質(zhì)量很差；可控硅做無觸點(diǎn)開關(guān)，里面要求精準(zhǔn)過零電路觸發(fā)才符合技術(shù)要求，但是大多采用自觸發(fā)，或光耦觸發(fā)，技術(shù)不完善，自身都帶著病，很難勝任投切電容器的任務(wù)。所以，熔斷器爆炸也是與投切方式的不同而不同。

電容器柜的熔斷器燒毀的根本原因是電容器切除時的過電壓和非精準(zhǔn)過零電路的弧光能量造成的，如果是可控硅投切，那么必須配套快速熔斷器，快速熔斷器靈敏度很高，是專門保護(hù)可控硅的，電路設(shè)計(jì)不完善的話，熔斷器會頻繁燒壞，壞的更多。一般的補(bǔ)償柜，采用普通熔斷器，靈敏度低，除非嚴(yán)重過載等故障，相對壞的少些。熔斷器的爆炸是非常危險(xiǎn)的，瓷片飛出會傷到人。

消除掉電容器切除時的高達(dá)2000V的過電壓，才能保證電容器柜壽命長久，否則電容器也會因高電壓的沖擊很快自愈而失容失效。如果消除掉過電壓，不設(shè)熔斷器也可以。

消除過電壓的技術(shù)就是采用脈沖變壓器觸發(fā)的編程控制的精準(zhǔn)過零電路，在加上動態(tài)放電技術(shù)的保護(hù)電路。這樣就基本取消了熔斷器，只用空氣開關(guān)即可。